量的金钱，但，受到当时基础材料发展及工业加工能力的限制，还是没能迅速解决问题，当时的半导体业界甚至称157n“是一堵墙”，让所有有志于尝试突破的人都撞得头破血流，这一卡，就是十多年，直到进入了二十一世纪。

　　其实，在业界，早有人为此提出了解决方案，1986年，此时还在ib从事成像技术研究的林本兼提出了一个天才的想法他认为缩短波长的最佳方案是由“干式微影技术”转向“浸润式”。

　　但，就像历史上曾经多次重演过的一样，过于领先的天才想法注定得不到认同，当时整个半导体界还没在光源的波长面前撞墙并吃到苦头，他的“浸润式”技术方案无人问津。

　　直到2001年，林本兼离开了ib并加入了台积电，已经完善了“浸润式光刻机”理论的他接连发表了三篇重量级的学术论文，在论文中他指出既然157n难以突破，为什么不退回到技术成熟的193n，把透镜和硅片之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为14，那么波长可缩短为19314132n，大大超过攻而不克的157n。

　　而且这个被称做“浸入式光刻技术”的方案还有其他明显优势，第一，由于是利用现有成熟技术改造，资金投入以下，也就是说提高光刻机的分辨率非常方便。

　　他开始游说米国、汉斯、倭国的光刻机制造厂们，企图说服大厂们采用“浸入式光刻”方案，但，依然都被拒绝。

　　因为这些大厂都为了157n光源投入了巨量的资金，如果现在放弃，从头研发“浸润式方案”，就意味着前期的巨量投入都打了水漂，是个人想想都会心疼，而且没法向董事会交代好吧这些企业后来都悔青了肠子。

　　最后，林本兼找到了彼得﹒韦尼克，这个在当时最不起眼的在众多大厂的夹缝中勉强生存的光刻机生产厂s的ceo，两个落魄的天才终于擦出了火花。

　　彼得韦尼克在拿到了这个方案的时候，立刻就下定了破罐子破摔搏一把的决心，押上全部身家，与台积电联合研制这台光刻机。

　　三年之后的2004年，全球第一台浸润式微影机研发成功。

　　“浸入式光刻机”一出，基本上宣判了半导体界正在开发的各种“干式”微影技术方案的死刑，因为循着这条技术路径，半导体芯片生产商可以以一个不算高昂的成本将芯片制程从65纳米逐步提升至10纳米以内

　　而对于任何一家半导体芯片制造企业来说，制程，都是第一重要的关键因素，是企业的生命线

　　制程为什么重要

　　答案很简单因为钱

　　在解释清楚这个问题之前，我们首先需要树立一个基本概念对于芯片制造企业来说，芯片的制造成本与芯片内部的复杂程

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